カルーセルスパッタ法で作製したCoFe膜における高異方性磁界と結晶配向

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-137

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Large anisotropy field and Crystal Orientation of FeCo Thin Film prepared by the carrousel sputtering method

著者名: 今泉 良一(崇城大学),宗像 誠(崇城大学),大越正敏 正敏(九州工業大学),槙 孝一郎(住友金属鉱山)

著者名(英語): Ryoichi Imaizumi(Sojo University.),Makoto Munakata(Sojo University.),Masatoshi Ohkoshi(Kyushu Institute of Technology),Kouichirou Maki(Sumitomo Metal Mine Co. ,Ltd.)

キーワード: カルーセルスパッタ法|CoFe膜|異方性磁界|異方性入射効果

要約(日本語): GHｚ帯高周波用磁性薄膜材料の研究において，著者らは，カルーセルスパッタ法でCoFe膜を作製し，約1000Oeの一軸異方性磁界を得ているが，その発現のメカニズムについてはまだ明らかではない．本研究では入射スパッタ粒子のモンテカルロシミュレーションを行い，基板に到着したスパッタ粒子を解析し，スパッタ粒子の異方性入射効果について検討した．カルーセルスパッタ法では粒子の異方性入射が顕著に存在し，基板の移動方向に垂直な方向に粒子間隔が増加する．この格子の歪みが磁気弾性効果を引き起こし，一軸異方性磁界の発現と増加の主要因となっていることがわかった．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 778 Kバイト