弱反転領域で動作する二段積みOTAの解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-003

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Weak inverted region operation analysis of two MOSFETs OTA

著者名: 飯塚 雄彦(明治大学),高窪 かをり(明治大学)

著者名(英語): Iizuka Takehiko(Meiji University),Takakubo Kawori(Meiji University)

キーワード: ＯＴＡ|ＭＯＳＦＥＴ|弱反転動作|双曲線関数|省電力

要約(日本語): 近年、電子機器における省電力化が進められている。そこで今回は、OTAを限りなく小さな入力で動作させ、その結果を検討する。具体的には、今まで飽和領域でしか動作させていなかった2段積み構成のOTA回路を弱反転領域で動作させることで、大幅な省電力を実現させる。また、弱反転領域で動作させる際に、従来の３端子MOSFETのモデル式と、近年提案された４端子MOSFETのモデル式を比較しながら解析し、どちらの式に信憑性があるかを検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,063 Kバイト