ゲート電圧劣化係数における温度依存性の一考察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-004

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): A study of temperature dependence on gate voltage degradation coefficient

著者名: 野口 文彦(明治大学),高窪 かをり(明治大学)

著者名(英語): Fumihiko Noguchi(Meiji University),Kawori Takakubo(Meiji University)

キーワード: 弱反転領域|MOSFET|ゲート電圧劣化係数

要約(日本語): CMOSアナログ回路を低電圧電源で動作させるために弱反転領域で動作させたMOSFETを用いたアナログ回路が研究されている.MOSFETを4端子デバイスとしてモデル化しているため,基板効果によるしきい電圧変動の要素を含めたモデル式となっている.本稿ではrとして与えられるゲート電圧劣化係数について温度特性を考察する

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 887 Kバイト