FEBT動作MOSFETトランスコンダクタンスの一考察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-005

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): A study of MOSFET transconductance with FEBT operation

著者名: 後藤祐也 (明治大学),高窪かをり (明治大学)

著者名(英語): GOTOU/YUUYA (Meiji University),TAKAKUBO/KAWORI (Meiji University)

キーワード: MOSFET|FEBT|トランスコンダクタンス|順方向バイアス|弱反転領域

要約(日本語): 電界効果バイポーラトランジスタ（FEBT:Field Effect Bipolar Transistor）とは，MOSFETのバルク?ソース間のpn接合に順方向バイアス，ドレイン?バルク間のpn接合に逆方向バイアスを印加して動させる手法である．この手法を用いることで，従来の動作手法と比べてより大きな電流を得ることが可能となる．本稿ではFEBT動作MOSFETの順方向バイアスの印加端子をバルク端子と，ソース端子で流れるドレイン電流を測定し，トランスコンダクタンスを用いて比較を行った．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,012 Kバイト