1.2V駆動Pチャネル型トレンチＭＯＳＦＥＴの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-007

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Development of trench-type P-channel MOSFET which can be driven with 1.2V gate bias

著者名: 新井隆太(東芝),浅原英敏(東芝),小笠原将明(東芝),税所哲弘(東芝),井上智樹(東芝)

著者名(英語): Ryuta Arai|Hidetoshi Asahara|Masaaki Ogasawara|Tetsuhiro Saisho|Tomoki Inoue

キーワード: パワーエレクトロニクス|MOS|トレンチ|オン抵抗|低電圧

要約(日本語): 携帯機器の内部電圧の低電圧化の要求に対し、低電圧駆動可能かつ低オン抵抗のＰチャネル型MOSFETの開発をおこなった。従来プロセスではチャネル抵抗およびエピ抵抗が支配的であり、この2つの抵抗低減が有効である。チャネル抵抗低減としてセルピッチの微細化、トレンチ深さの浅化およびゲート薄膜化をおこなった。エピ抵抗低減としてエピ層の抵抗率および厚さの低減をおこなった。結果、チャネル抵抗およびエピ抵抗の大幅な削減により、ゲート1.2V駆動時のオン抵抗Ron・A=22mΩmm2と世界最高水準の低オン抵抗を実現した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 479 Kバイト