レーザ直描装置を用いたSU-8露光条件の最適化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-111

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Precise Study on SU-8 Direct Patterning by h-Line Maskless Lithography

著者名: 有留克洋 (広島大学),坂本憲児 (広島大学),石川智弘 (広島大学),三宅 亮 (広島大学),村上裕二 (広島大学)

キーワード: μTAS|マスクレス露光|PDMS|グレイスケール露光

要約(日本語): 厚膜フォトレジストSU-8はUV-LIGA法の基本材料としてMEMSや関連領域での高アスペクト比構造形成に幅広く用いられている。特にμTAS領域での流路形成ではSU-8鋳型とPDMS転写との組み合わせが多く用いられている。当研究グループではこれまでにマスクレス露光装置を用いて50-300 μmのSU-8直接描画が可能であることを見いだした。しかしエッジ形状制御や多重露光時の形状ブレについて未解明な点があり，実際に流路鋳型を作製したところ予期しない周期的な段差構造が発生し支障があった。そこで本研究ではマスクレス露光装置を用いたSU-8直描による鋳型製作方法の確立を目的とし，露光条件について詳細検討を行った。その結果140J/cm2での露光が最適であることが分かった。また一方低照射条件を活用し、不透明基板へのグレイスケール露光によるテーパ構造製作が可能になった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,719 Kバイト