光MEMS実現に向けたワイドギャップ半導体SiC, GaNおよびAlNの屈折率温度依存性の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-129

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Determination of the Temperature Dependence of the Refractive Index of SiC, GaN, and AlN for Optical MEMS Application

著者名: 渡辺 直樹(京都大学),木本 恒暢(京都大学),須田 淳(京都大学)

著者名(英語): Naoki Watanabe(Kyoto University),Tsunenobu Kimoto(Kyoto University),Jun Suda(Kyoto University)

キーワード: 光MEMS|ワイドギャップ半導体|熱光学効果|波長可変フィルタ|シリコンカーバイド|III族窒化物半導体

要約(日本語): ワイドギャップ半導体の熱光学効果を用いた可視域-紫外域光MEMSの実現に向けて、その基礎となるワイドギャップ半導体SiC、 GaN、およびAlNの屈折率温度依存性を正確に評価した。温度範囲を室温から512℃、波長範囲をバンド端付近から1700 nmまでの広範囲で、薄膜干渉スペクトル測定により屈折率の測定を行い、各波長における熱光学係数 (dn/dT) を決定した。次に得られた結果を用いて室温と500℃におけるGaNの波長可変フィルタの光学シミュレーションを行い、可視域 (405.5 nm) において熱光学効果型波長可変フィルタとして十分透過波長が変調可能であることを示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,920 Kバイト