Si構造体への直接めっきによるAu構造体作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-132

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Fabrication of Au structure using direct electrolytic plating on Si structure

著者名: 徳岡 篤(兵庫県立大学),高橋 正樹(兵庫県立大学),野田 大二(兵庫県立大学),服部 正(兵庫県立大学)

著者名(英語): Atsushi Tokuoka(University of Hyogo),Naoki Takahashi(University of Hyogo),Daiji Noda(University of Hyogo),Tadashi Hattori(University of Hyogo)

キーワード: シリコン加工|電解金めっき|低抵抗シリコン

要約(日本語): 近年、機械部品や電子部品の小型化・高性能化が進んでいる。さらなる小型化・高性能を実現するためにはより高精度な微細高アスペクト比加工が求められている。微細高アスペクト比の金属構造体の作製には、シンクロトロン放射光を用いたX線リソグラフィと電解めっきの組み合わせが注目されている。しかし、シンクロトロン放射光を用いるには莫大なコストがかかる。そこで、X線の代わりにICP-RIEを使ったSiドライエッチングを用いてSiウェハを加工し、Siウェハ自体を導電層として直接電解めっきを行う新しい微細高アスペクト比金属構造体作製プロセスを考案し、実際に作製を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,783 Kバイト