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LTCC基板の陽極接合による封止空間からの電極取出

LTCC基板の陽極接合による封止空間からの電極取出

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-133

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Electrical Feedthrough from Sealed Cavity by Anodic Bonding of LTCC Substrate

著者名: 松崎 栄(東北大学),田中 秀治(東北大学),江刺 正喜(東北大学)

著者名(英語): Sakae Matsuzaki(Tohoku University),Shuji Tanaka(Tohoku University),Masayoshi Esashi(Tohoku University)

キーワード: MEMS|陽極接合|ウェハレベルパッケージ|気密封止|貫通電極|LTCC

要約(日本語): ウェハレベル気密封止技術は,MEMS(micro electro mechanical systems)の小形化,高性能化,信頼性向上,高歩留まり化,そしてそれらの結果としての高付加価値化や低コスト化に必須である。本研究では,MEMSとLTCC基板内の電気配線とを,両基板を陽極接合しつつ,いかに接続するかという課題に対して,低融点金属を用いて金属間化合物を形成する方法を開発した。Cu-Snの組合せを用いて,350 °C,500 Vで陽極接合すると同時に電気的接続を行えた。本方法は,低融点金属の接続パッドの高さ制御,およびMEMSが形成されたSi基板へ追加工の必要がないので,汎用性の高いウェハレベル気密パッケージングとして有用である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,344 Kバイト

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