半導体ガスセンサの過渡応答への活性化エネルギーの影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-149

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Activation Energy Dependence on Transient Responses of Semiconductor Gas Sensor

著者名: 藤本 晶(和歌山工業高等専門学校),大炭潤生 (和歌山工業高等専門学校),大谷龍輝 (和歌山工業高等専門学校)

著者名(英語): Akira Fujimoto(Wakayama National College of Technology),Junki Ohsumi(Wakayama National College of Technology),Tatsuki Ohtani(Wakayama National College of Technology)

キーワード: 半導体ガスセンサ|過渡応答|活性化エネルギー|有機溶剤

要約(日本語): 半導体ガスセンサを方形波等で駆動した場合の過渡応答が，ガスの種類によって異なることが知られている。これまでガスセンサの計算モデルを作成して過渡応答に与える因子の模索を続けた結果，センサ表面でのガスの反応の活性化エネルギーが大きく影響することを見出した。そこで種々のアルコールガスにおける活性化エネルギーを分子軌道計算より見積もったところ，活性化エネルギーとアルコールガスに対する過渡応答との間に，活性化エネルギーが大きいと過渡応答の遅れ時間が小さいという相関関係を見出すことができた。

原稿種別: 日本語

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