高圧電力変換回路におけるブスバー配線の低インダクタンス化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Design of Low Parasitic Inductance of Bus Bars for a Medium Voltage Inverter

著者名: 安東正登 (首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),高尾 和人(東芝),金井 丈雄三菱電機産業システム(東芝三菱電機産業システム),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Masato Ando(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Kazuto Takao(Toshiba),Takeo Kanai(TMEIC),Hiromichi Ohashi(AIST)

キーワード: 高圧電力変換回路|ブスバー|インダクタンス

要約(日本語): 近年，高圧電力変換回路の高速スイッチング化が進んできており，回路構造に起因する直流側インダクタンスの解析が重要である。文献では大容量変換回路を対象にブスバーのインダクタンス解析手法について検討されているが，インダクタンス低減手法について具体的な設計例は報告されていないように思われる。本稿では，直流側の配線をモデリングし，電磁界解析シミュレータを用いてブスバーのインダクタンスを算出する。また，実際の素子体積と絶縁距離を考慮した上で，インダクタンスを低減する配線パターンを検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 722 Kバイト