マルチリサーフガードリング構造を用いた低損失、低ノイズ、500?900V耐圧クラスパワーMOSFET

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-128

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): A Low Loss, Low Noise and Robust 500 to 900V Class Power MOSFET with Multiple RESURF Guard-ring Edge Structure

著者名: 渡邉 荘太(富士電機システムズ),新村 康(富士電機システムズ),井上 正範(富士電機システムズ),小林 孝(富士電機ホールディングス),原 幸仁(富士電機システムズ),山田 忠則(富士電機システムズ),藤島 直人(富士電機システムズ)

著者名(英語): Sota Watanabe(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Yasushi Niimura(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Masanori Inoue(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Takashi Kobayashi(Fuji Electric Holdings Co.,Ltd.),Yukihito Hara(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Tadanori Yamada(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Naoto Hujishima(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.)

キーワード: 半導体デバイス|ＭＯＳＦＥＴ

要約(日本語): 今回開発したパワーMOSFETは、エッジ構造においてマルチリサーフガードリングを用いることで、従来比で38%エッジ長を短くすることに成功した。また、活性部においては、エピタキシャル層の最適化と、p-baseの幅等の最適化で、同耐圧、同チップサイズの従来品と比較して、18%のオン抵抗低減と同時に、スイッチングノイズ60dBuV/mにおいて11％のスイッチング損失を低減した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,965 Kバイト