パワーMOSFETの等価回路モデルに基づくスイッチング動作の解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-129

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): An analysis of switching behavior by equivalent circuit of power MOSFET

著者名: Nathabhat Phankong(京都大学),柳 達也(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Nathabhat Phankong(Kyoto University),Tatsuya Yanagi(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: パワーMOSFET|スイッチング過渡特性

要約(日本語): 本研究では, パワーMOSFETのスイッチング動作において, 高周波化と高効率化を支配する物理要因を, 半導体素子の内部構造に基づいて, 寄生成分を含めて再検討する.スイッチングの過渡現象において, MOSFET内部に存在する寄生キャパシタンスと, リードのインダクタンスによりリンギングに伴う損失が発生し, ONよりも OFFに切り替わるときに大きな損失が伴うことが確認できた.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,493 Kバイト