薄ウェーハIGBTのアバランシェ耐量におけるNバッファ構造の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-130

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Avalanche capability of thin wafer IGBTs depending on N-buffer structure

著者名: 内城竜生 (東芝),平原 文雄(東芝),松下 憲一(東芝),大道基浩 (東芝),二宮 英彰(東芝),梅川 真一(東芝),松田 正(東芝),山口 正一(東芝)

著者名(英語): Tatsuo Naijo(Toshiba corporation semiconductor company),Fumio Hirahara(Toshiba corporation semiconductor company),Kenichi Matsushita(Toshiba corporation semiconductor company),Motohiro Omichi(Toshiba corporation semiconductor company),Hideaki Ninomiya(Toshiba corporation semiconductor company),Shinichi Umekawa(Toshiba corporation semiconductor company),Tadashi Matsuda(Toshiba corporation semiconductor company),Masakazu Yamaguchi(Toshiba corporation semiconductor company)

キーワード: IGBT|アバランシェ耐量|Nバッファ

要約(日本語): IGBTは薄PT構造に代表される薄ウェーハ技術により低損失化が図られている。薄ウェーハIGBTはNバッファ構造によりアバランシェ耐量が変わってくるため本報告ではその依存性を調べた。Nバッファとして(A)低濃度で厚いN+層、(B)前記に対し高濃度で薄いN++層を追加した2段構造、(C)高濃度N++層のみの3構造の特性評価とシミュレーションによる解析を行なった。特性評価の結果(A)よりも(B),(C)の耐量が高くなった。シミュレーションより (B)は裏面注入効率が(A)よりも低減されたため、構造(C)は裏面側の電界が抑制され、耐量が向上したと推定される。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,085 Kバイト