ノーマリオフ型SiC-BGSITの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-131

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Development of normally-off SiC-BGSIT

著者名: 田中 保宣(産業技術総合研究所),高塚 章夫(産業技術総合研究所),八尾 勉(産業技術総合研究所),荒井 和雄(産業技術総合研究所),矢野 浩司(山梨大学)

著者名(英語): Yasunori Tanaka(AIST),Akio Takatsuka(AIST),Tsutomu Yatsuo(AIST),Kazuo Arai(AIST),Koji Yano(University of Yamanashi)

キーワード: SiC|静電誘導トランジスタ|ノーマリオフ|オン抵抗|パワーデバイス

要約(日本語): SiC(炭化ケイ素)は、次世代超低損失パワーデバイス用の半導体材料として注目されており、中でも静電誘導トランジスタは半導体内部にチャネルを有することから、低オン抵抗と高信頼性を兼ね備えたパワースイッチング素子として非常に有望である。我々は、これまでにSiCの物理限界に極めて近い性能を持つ埋込ゲート型静電誘導型トランジスタ(SiC-BGSIT)を独自のデバイス作製技術を駆使することにより開発してきた。但し、これらのデバイスはノーマリオン型であり、現在一般的に普及している電圧型インバータへの適用を考えた場合、安全性を踏まえた駆動回路の工夫が必須条件となる。本研究では、製造プロセスの最適化により耐圧1 kV、特性オン抵抗1.5 mΩ・cm2のノーマリオン型SiC-BGSITの開発に成功したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 785 Kバイト