高電圧高温半導体用ガス絶縁パッケージングの開発に向けた予備的検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-133

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Preliminary Study on Development of Packaging for High Temperature Power Electronics Devices with Gas Insulation

著者名: 河野大樹 (九州工業大学),陳 玉(九州工業大学),Thierry Lebey(Universite Paul Sabatier),小迫 雅裕(九州工業大学),大村一郎 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Hiroki Kawano(Kyusyu Institute of Technology),Chen Yu(Kyusyu Institute of Technology),Thierry Lebey(Universite Paul Sabatier),Masahiro Kozako(Kyusyu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyusyu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyusyu Institute of Technology)

キーワード: パッケージング|ガス絶縁|部分放電開始電圧|高温|DBC

要約(日本語): 次世代パワーデバイス(SiC、GaN等)の開発において、これらのデバイスを集積化して従来のパッケージ技術では困難である高電圧(1.2 kV以上)、高温(200℃以上)下で動作可能とするため、著者らはガスとセラミック基板の複合絶縁による新しいパッケージング技術を提案している。本報では、高電圧高温ガス絶縁パッケージの基礎実験のためのモデル試料と評価システムの構築、および３種類のガスに関して室温と高温時の部分放電開始電圧特性を検討したので報告する。今回の実験で高温時ではPDIV値が増加あるいは低下する場合が見られたが、1.2 kV以上の耐圧は有していることが分かった。今後、引き続き詳細な検討を行う。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,036 Kバイト