SiC-MOSFETの高速スイッチング特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-135

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Fast switching characteristics of SiC-MOSFET

著者名: 中田 修平(FUPET),北村 達也(三菱電機),木ノ内 伸一(FUPET),炭谷 博昭(三菱電機),今泉 昌之(三菱電機),大井 健史(FUPET),大森 達夫(FUPET)

著者名(英語): Shuhei Nakata(FUPET),tatsuya Kitamura(MITSUBISHI ELECTRIC),Sinnichi Kinouchi(FUPET),Hiroaki Sumitani(MITSUBISHI ELECTRIC),Masayuki Imaizumi(MITSUBISHI ELECTRIC),Kennichi Ooi(FUPET),Tatsuo Ohmori(FUPET)

キーワード: シリコンカーバイド|スイッチング特性

要約(日本語): SiCを用いたパワー半導体素子は、電力変換機器の低消費電力化に非常に有効な素子であり、筆者らはSiCを用いた中容量クラスのインバータを試作してその有効性（低損失特性）を実証してきた。SiC-MOSFETはSi-IGBTに比較して特にスイッチング特性に優れている。更なる低損失化には素子抵抗値の低減と共に高速のスイッチング性能が必要と考えられる。今回、SiC-MOSFET及びSBDを用いて高速スイッチングを行い特性の評価を行ったので結果について説明する。この結果を基に、インバーター動作を行った際の損失を推定するとIGBTを用いたインバーターに対して９０％近い損失が低減できることが分かった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 903 Kバイト