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SiC-MOSFETのスイッチング特性測定とインバータ作製

SiC-MOSFETのスイッチング特性測定とインバータ作製

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-136

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Switching Characteristics of SiC-MOSFET and Manufacture of Inverter

著者名: 牧 健太郎 (九州工業大学),ソムパッタナープーンヤケット (九州工業大学),時吉隼一朗 (九州工業大学),原田克彦 (九州工業大学),小迫雅裕 (九州工業大学),大塚信也 (九州工業大学),匹田政幸 (九州工業大学)

キーワード: SiC-MOSFET|スイッチング特性|インバータ

要約(日本語): SiC-MOSFETのスイッチング特性の測定を行い、ゲート抵抗値を小さくすることでターンオン・オフ時間が短くなり、スイッチングが高速化できるだけでなく単発のスイッチング損失は低減する傾向を確認した。また、SiC-MOSFETインバータの作製を行い、負荷として0.2kWの三相インダクションモータを用いSiC-MOSFETインバータの動作を確認できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,549 Kバイト

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