SiCパワーデバイスを用いたDC-DCバックコンバータにおけるデバイス損失に関する検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-137

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): A Study on Device Loss of DC-DC Buck Converter with SiC Power Devices

著者名: 関川 宗久(京都大学),舟木 剛(大阪大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): SEKIKAWA Munehisa(Kyoto University),FUNAKI Tsuyoshi(Osaka University),HIKIHARA Takashi(Kyoto University)

キーワード: SiC|SiCパワーデバイス|DC-DCバックコンバータ|デバイス損失

要約(日本語): ワイドバンドギャップ半導体である SiC は，Si に代わる極めて有望な次世代パワーデバイスの半導体材料として，近年注目を集めている．低損失，高周波動作，高温動作など，SiC デバイスは Si デバイスより優れた特徴を備えているが，実際，電力変換回路に SiC デバイスを実装した状態において，その優位性をどの程度活かすことができるかは定かではない．そこで本報告では，Si，SiCの両デバイスを用いて DC-DC バックコンバータを構成し，デバイス損失を評価した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,854 Kバイト