ゲートドライブ回路によるパワー半導体素子のスイッチング特性比較

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-140

グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集

発行日: 2010/03/05

タイトル(英語): Comparison of switching characteristics of power semiconductor device with the Gate-Drive circuit

著者名: 石井 結記(芝浦工業大学),久保田 和宏(芝浦工業大学),齋藤 真(芝浦工業大学)

著者名(英語): Yuki Ishii(Shibaura Institute of Technology),Kazuhiro Kubota(Shibaura Institute of Technology),Makoto Saito(Shibaura Institute of Technology)

キーワード: ゲートドライブ回路

要約(日本語): パワー半導体デバイスのターンオン・ターンオフ特性はゲートドライブ回路に依存することが知られており種々の方式が提案されている。本稿では「ミラー効果を応用した方式」と「ゲート抵抗を積極的に変化させる方式」の二つのゲートドライブ回路を作成し，それぞれのスイッチング特性を評価した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,437 Kバイト