YBCO薄膜S/N転移時の二次元電圧分布測定
YBCO薄膜S/N転移時の二次元電圧分布測定
カテゴリ: 全国大会
論文No: 6-228
グループ名: 【全国大会】平成22年電気学会全国大会論文集
発行日: 2010/03/05
タイトル(英語): Measurement of 2 Dimensional Voltage Distribution of YBCO Thin Film
著者名: 森 政人(東京大学),西岡 英祥(東京大学),馬場 旬平(東京大学),仁田 旦三(明星大学),熊谷 俊弥(産総研),渋谷 正豊(関東学院大学)
著者名(英語): Masato Mori(The University of Tokyo),Nishioka Hideyoshi(The University of Tokyo),Jumpei Baba(The University of Tokyo),Tanzo Nitta(Meisei University),Toshiya Kumagai(AIST),Masatoyo Shibuya(Kanto Gakuin University)
キーワード: 超電導限流器|YBCO薄膜|S/N転移
要約(日本語): YBCO薄膜抵抗型限流器において、薄膜エレメントの抵抗発生の過程はあまり明確にはなっていない。その過程は、局所的に臨界電流値の低い一点の抵抗が上昇した後、その点を避けるように電流が流れるため、その点周辺の電流密度が増加し、主電流通電方向と垂直な方向へ抵抗の高い領域が広がっていくと考えられている。そのような点が複数発生し、薄膜全体として常電導転移すると考えられている。その際、最初に常電導転移した部分で局所的に電流が集まり過ぎるなどして温度が急上昇し、薄膜が焼損するホットスポット現象が起こりうるが、その抵抗発生の過程が明確になれば、この現象を未然に防ぐ方策の確立につながると考えられる。そこで、この過程の詳細を確認するために、YBCO薄膜に正弦波の電流を流し、その縦横方向の2次元的な電圧分布を測定することにした。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,173 Kバイト
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