誘電体の二次電離係数γの決定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-055

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Determination of Secondary Ionization Coefficient on Dielectrics

著者名: 関澤 崇(千葉工業大学),鈴木 進(千葉工業大学),柏木 康秀(木更津工業高等専門学校),伊藤 晴雄(千葉工業大学)

著者名(英語): Takashi Sekizawa(Chiba Institute of Technology),Susumu Suzuki(Chiba Institute of Technology),Yasuhide Kashiwagi(Kisarazu National College of Technology),Haruo Itoh(Chiba Institute of Technology)

キーワード: 二次電離係数

要約(日本語): 誘電体の二次電離係数γをTownsendの自続条件式を用いて決定する研究を行っている。今回はSi3N4の二次電離係数γについて考察した結果を報告する。Si3N4とステンレス鋼電極の組み合わせでSi3N4が陰極となる場合の放電開始電圧Vsを測定した。放電開始電圧Vsは印加電圧の周波数10～100Hzの範囲では印加電圧の周波数f依存性は無かった。測定した放電開始電圧Vs から決定したSi3N4のγの値は測定した換算電界の範囲では約0.027～0.300であった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 915 Kバイト