半導体化インパルスジェネレータの大容量化と高機能化に関する研究

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-179

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Research on enlargements of the capacity and functionality of the static impulse voltage generator

著者名: 久保田 淳(埼玉大学),桾澤 和也(埼玉大学),前山 光明(埼玉大学)

著者名(英語): Atsushi Kubota(Saitama University Graduate School),Kazuya Gumizawa(Saitama University Graduate School),Mitsuaki Maeyama(Saitama University Graduate School)

キーワード: パルスパワー|インパルスジェネレータ|半導体スイッチ|IGBT

要約(日本語): パルスパワー電源の実用化を目指して，スイッチ部に半導体スイッチング素子であるIGBTを用いることで，長寿命でスイッチの性能の劣化がなく，また，繰り返し動作を行うために，充電経路にダイオードを組み合わせた高速充電方式を用いた大容量で高繰り返し動作が可能なマルクス回路型のインパルスジェネレータ(IG)の開発を行っている。本研究では，半導体化IGの段数の増加による電圧増幅率(出力電圧/充電電圧)および充電効率の低下を改善するため充電方法の検討を行った。結果として，半導体化IGの大容量化・高機能化を確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 698 Kバイト