直流高電界下においてアセトフェノンがXLPEの空間電荷形成に及ぼす影響
直流高電界下においてアセトフェノンがXLPEの空間電荷形成に及ぼす影響
カテゴリ: 全国大会
論文No: 2-017
グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集
発行日: 2011/03/05
タイトル(英語): Effect of Acetophenone on Space Charge Formation in Cross-linked Polyethylene under DC High Voltage Stress
著者名: 林 宣也(東京都市大学),小林 駿(東京都市大学),田中 康寛(東京都市大学),前野 恭(情報通信研究機構)
著者名(英語): nobuya Hayashi(Tokyo City University),Shun Kobayashi(Tokyo City University),Yasuhiro Tanaka(Tokyo City University),Takashi Maeno(National Institute of Information and Communications Technology)
キーワード: 架橋ポリエチレン|架橋剤分解残渣|PEA法|ヘテロ電荷
要約(日本語): 直流高電界下において、架橋ポリエチレン(XLPE)内部に残留する架橋剤分解残渣が空間電荷蓄積特性に影響を与えていると言われている。これまで我々は、低密度ポリエチレンに意図的に試薬を含浸させることで架橋剤分解残渣の影響を調査してきた。一方、架橋剤分解残渣を揮発させたXLPEの空間電荷蓄積特性についても調査してきた。そこで本報告では、架橋剤分解残渣を揮発させたXLPEをアセトフェノンに浸漬し、アセトフェノンのみが、直流高電界下においてXLPEの空間電荷形成に及ぼす影響を調査した。その結果、アセトフェノンの影響により、顕著なヘテロ電荷が観測された。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 907 Kバイト
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