全固体ECD用AlドープZnO薄膜の室温成膜

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-099

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Room Temperature Growth of Al-doped ZnO Thin Films for Use All-Solid-State ECDs

著者名: 大島 多美子(佐世保工業高等専門学校),村上 雄紀(佐世保工業高等専門学校),川崎 仁晴(佐世保工業高等専門学校),須田 義昭(佐世保工業高等専門学校),柳生義人 (佐世保工業高等専門学校)

著者名(英語): Tamiko Ohshima(Sasebo National College of Technology),Yuuki Murakami(Sasebo National College of Technology),Hiroharu Kawasaki(Sasebo National College of Technology),Yoshiaki Suda(Sasebo National College of Technology),Yoshihito Yagyu(Sasebo National College of Technology)

キーワード: 透明導電膜|酸化亜鉛|PLD法|エレクトロクロミック

要約(日本語): 本研究では，全固体型エレクトロクロミックディスプレイ（ECD）の電極部である透明導電薄膜の作製を行った。その際，ITOの代替材料として注目されているZnを原料とした酸化亜鉛（ZnO）系透明導電薄膜に着目し，パルスレーザ堆積（PLD）法を用いてAl ドープZnO（AZO）薄膜の作製を行い，透明且つ導電性に優れたAZO薄膜の最適作製条件を調べ，ECD電極部への利用可能性を検討した。その結果，レーザフルエンス4J/cm2，酸素ガス圧力1 Paのとき抵抗率が5.8×10-4 Ωcmと最も低く，可視光域での平均透過率が80%以上の優れた特性を有するAZO薄膜を室温中で作製することができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 840 Kバイト