FET型NO2センサの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-106

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Fabrication of NO2 Sensor Using Field Effect Transistor

著者名: 縄稚 典生(広島県立総合技術研究所 西部工業技術センター),塚村 慶子(広島県立総合技術研究所 西部工業技術センター),伊藤幸一 (広島県立総合技術研究所 西部工業技術センター),本多 正英(広島県立総合技術研究所 西部工業技術センター),山本 晃(広島県立総合技術研究所 西部工業技術センター)

著者名(英語): Norio Nawachi(Hiroshima Prefectural Technology Research Institute West Region Industrial Research),Keiko Tsukamura(Hiroshima Prefectural Technology Research Institute West Region Industrial Research),Koichi Itoh(Hiroshima Prefectural Technology Research Institute West Region Industrial Research),Masahide Honda(Hiroshima Prefectural Technology Research Institute West Region Industrial Research),Akira Yamamoto(Hiroshima Prefectural Technology Research Institute West Region Industrial Research)

キーワード: NO2センサ|FET

要約(日本語): ガス選択性の高い固体電解質をガス検知材料に用い，電界効果トランジスタ（FET：Field Effect Transistor）と組み合わせた高感度なガスセンサを開発した。FETは，ゲート部に金属電極のないISFET（Ion Sensitive FET）を作製し，ゲート部上に亜硝酸ナトリウム（NaNO2）を主成分とする固体電解質を接合した。作製したFETは，電圧・電流特性からゲート部に電圧を印加しなくても導通するデプレッション形であることが確認できた。また，センサ特性を評価したところ，NO2ガス導入前後で，ドレイン電流IDに変化が認められた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 776 Kバイト