傾斜したストライプ磁区に生じる磁区構造転移の温度・磁場影響と経年特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-157

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Stability of the stepped GMI phenomenon against circumferential condition.

著者名: 中居 倫夫(宮城県産業技術総合センター),石山 和志(東北大学)

著者名(英語): Tomoo Nakai(Industrial technology institute,Miyagi prefectural government),Kazushi Ishiyama(Research institute of electrical communication,Tohoku university)

キーワード: 磁気センサ|薄膜|磁区|磁気インピーダンス|不連続|磁区転移

要約(日本語): 　薄膜軟磁性体で形成された矩形状の素子に、短軸方向を基準として膜面内で傾斜した方向に磁化容易軸を形成し、この方向を制御することで磁場に対して不連続的にインピーダンスが変化する素子が構築できる。この現象は、ストライプ状磁区構造と長手方向に磁気モーメントが揃った磁区構造との転移に伴い発生し、転移発生点の定磁場性、ヒステリシス制御による記憶機能の発現など、アプリケーションに有用な特性を有する。本報告では、この磁区転移現象の環境劣化について基礎的な知見を得ることを目的に、温度暴露、強磁場印加、経年劣化について検討を行い、実用化の可能性を示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 732 Kバイト