RFチューナブル磁性薄膜デバイスの基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-158

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Basic Investigation of RF Tunable Magnetic Thin Film Devices

著者名: 峯村 知剛(信州大学),結城 恵(信州大学),曽根原 誠(信州大学),佐藤敏郎 (信州大学),池田 賢司(太陽誘電),山沢清人 (信州大学),三浦 義正(信州大学)

著者名(英語): Tomotake Minemura(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Megumi Yuki(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Makoto Sonehara(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Toshiro Sato(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Kenji Ikeda(R&D Center,Taiyo Yuden.,Ltd.),Kiyohito Yamasawa(Spin Device Technology Center,Shinshu University),Yoshimasa Miura(Spin Device Technology Center,Shinshu University)

キーワード: 携帯電話|チューナブル|軟磁性膜|永久磁石膜|パルス電流

要約(日本語): 本研究では，RFチューナブル磁性薄膜デバイスの開発を最終目的とした，透磁率の制御方法に関する基礎検討を行った．永久磁石膜の残留磁化を変化させることで永久磁石膜から発生する磁界が変化する．軟磁性膜の磁化容易軸方向に印加される磁界が変化することで軟磁性膜の磁化困難軸方向の透磁率が変化することになる．本報告では，残留磁化はパルス電流による磁界によって制御した．パルス電流により制御することで，電力を消費し続けることがないため，低消費電力化にもつながると考えられる．パルス電流を変化させた際の軟磁性膜の複素比透磁率の周波数特性を測定した結果，パルス電流に対して複素比透磁率の実部が変化することが明らかとなった．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 845 Kバイト