非対称LDD構造の高耐圧SOI-CMOSプロセスに基づいた統合CBiCMOS回路方式の6段CMOSインバータ駆動

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-004

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Level Shifters based on a Unified-CBiCMOS Circuit Scheme using High Breakdown Voltage SOI-CMOS Process of Asymmetric LDD Structure

著者名: 門野 良男(近畿大学),秋濃俊郎 (近畿大学),江藤剛治 (近畿大学)

著者名(英語): Yoshio Monno(Kinki University),Toshiro Akino(Kinki University),takeharu Etoh(Kinki University)

キーワード: CMOS|横型BJT|Unified-CBiCNOS|ファンアウト4

要約(日本語): ６段CMOSインバータの最終段に統合CBiCMOSを採用し、電源電圧が15Vで、2nFの大きな負荷容量を駆動する。① 2nFを最終負荷容量としたファンアウト４の６段CMOSインバータ回路と、② 統合CBiCMOSを①に付け加えた回路を設計する。本研究では、X-FAB社の非対称LDD構造の高耐圧SOI-CMOSプロセスを使用して、これらの回路を回路シミュレータで検証して評価する。回路シミュレーションのMOSFETと横型パイポーラのモデルパラメータは実測に合わせたものを使用し、遷移遅延が6%縮まる結果を得た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,104 Kバイト