シリコントレンチ酸化によるSiO2構造体の作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-128

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Fabrication of SiO2 structure by Si trench oxidation

著者名: 密山京太 (兵庫県立大学)

著者名(英語): Kyota Mitsuyama(University of Hyogo)

キーワード: SiO2構造体

要約(日本語): シリコンはMEMSの主材料として多くのデバイスに用いられる。シリコンは導電性なので、デバイス上に電極配線を伴う場合は表面を絶縁処理する必要があり、シリコンと電極金属間に挟まれた絶縁層は寄生容量となって多くのセンサのSN比を低下させる。熱酸化により成膜される酸化膜の厚さは数μmが限界であり、加工が難しいので基板に使用し難い。トレンチ酸化による厚膜酸化シリコンは厚さや形状を自由に設計でき、高い熱絶縁性のためシリコンには無い応用も期待できる。本研究ではトレンチ酸化によるSiO2構造が機械的に利用可能かどうか評価することを目的とした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,108 Kバイト