ICPドライエッチングを用いたSi金型の作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-130

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Fabrication of Si mold using ICP dry etching

著者名: 久保山 優(兵庫県立大学),西田 諭史(ナノクリエート),野田 大二(兵庫県立大学),服部 正(兵庫県立大学)

著者名(英語): Kuboyama Yuu(University of Hyogo),Nishida Satoshi(Nanocreate Co.,Ltd.,),Noda Daiji(University of Hyogo),Hattori Tadashi(University of Hyogo)

キーワード: 静電容量型小型傾斜角センサ

要約(日本語): 近年，さまざまな電子機器の省資源化，高度化が要求されており，小型化，高性能化などの観点からMEMSデバイスの研究開発が盛んに行われている．しかしMEMS技術によるデバイス作製は複雑で多くの工程を必要とすることなどから量産化に向いたものではない．そのため，量産化を目指した微細加工技術や生産プロセスの研究開発が急務となっている．量産化を目指した微細加工技術として，LIGAプロセスが注目されている．本研究では，LIGAプロセスによる静電容量型傾斜角センサを作製しており，ICPドライエッチングを用いて垂直で高い構造体となるSi金型の作製を試みた．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,482 Kバイト