半導体ガスセンサの過渡応答への活性化エネルギーの影響（Ⅱ）

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-142

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Activation Energy Dependence on Transient Response of Semiconductor Gas Sensor (Ⅱ)

著者名: 藤本 晶(和歌山工業高等専門学校),大谷龍輝 (和歌山工業高等専門学校)

著者名(英語): Akira Fujimoto(Wakayama National College of Technology),Tatsuki Ohtani(Wakayama National College of Technology)

キーワード: 半導体ガスセンサ|分子軌道計算|活性化エネルギー|過渡応答

要約(日本語): 半導体ガスセンサの過渡応答を用いてガスの識別を実現すべく，過渡応答を決める要因を独自に開発した過渡応答モデルを用いて調べてきた。これまでにセンサ表面での反応の活性化エネルギーが大きく影響している事を見出し，アルコール系のガスで，活性化エネルギーと過渡応答の立ち上がりとの間に強い相関関係があることを明らかにしてきた。今回カルボキシル系のガスにおいても，同様の，より明瞭な関係を見出すことができた。この関係を用いることで，同一系列のガスなら，過渡応答の立ち上がりからガスの活性化エネルギーを推定でき，ひいてはガスの種類を特定できる可能性があることを示す。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 789 Kバイト