Pd/n-GaN接触の電気特性に及ぼす湿度の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-143

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Atmospheric moisture effect on I-V characteristics of Pd/n-GaN Schottky contacts

著者名: 北村 翼(首都大学東京),中村 成志(首都大学東京),奥村 次徳(首都大学東京)

著者名(英語): tsubasa kitamura(Tokyo Metropolitan University),seiji nakamura(Tokyo Metropolitan University),tsugunori okumura(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 電界効果トランジスタ型水素ガスセンサ|窒化ガリウム|パラジウム

要約(日本語): 本研究では、Pd電極をn型GaN上に形成したショットキーバリアダイオード（SBD）を作製し、湿度の影響について評価を行った。実験では、湿度を80％に保った実験容器にSBDを設置し、電流－電圧特性と電圧を一定に保ち電流―時間特性の変化を測定した。その結果48時間でＩ－Ｖ特性が変化した。これにより湿度による変化はＰｄが水素を分解し吸蔵するときに起こる変化と同様の変化であることが示唆された。またＩ－ｔ特性の結果より時間に対して電流が変化することから湿度中の水蒸気がゆっくりとＰｄ内に吸蔵されたと解釈できる。これらからＦＥＴ型のセンサにおいても湿度の影響により信頼性が低下する可能性があることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 738 Kバイト