Pd/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサの応答メカニズム

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-144

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Response mechanisms of Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor based Hydrogen sensors

著者名: 瀧本拓真 (首都大学東京),中村 成志(首都大学東京),奥村 次徳(首都大学東京)

著者名(英語): Takuma Takimoto(Tokyo Metropolitan University),Seiji Nakamura(Tokyo Metropolitan University),Tsugunori Okumura(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 水素ガスセンサ|パラジウム|窒化ガリウム|高電子移動度トランジスタ|応答メカニズム

要約(日本語): 高温環境下や腐食性のガス雰囲気での動作が可能な耐環境性高感度水素ガスセンサの開発を目的として、パラジウムと窒化ガリウムをベースとした高電子移動度トランジスタ型水素ガスセンサを提案し、水素応答特性を評価した。室温下における水素応答特性を詳細に調査した結果、水素検知に対応したデバイスの電流変化が水素濃度に依存せず、あるしきい値をもち、時間に対して指数関数的に変化する領域や飽和する領域などに区別できることが分かった。それぞれの領域に対して応答メカニズムのモデルを考え、検証したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,350 Kバイト