配線構造に起因するブスバーインダクタンスの解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-034

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Analysis of Bus Bar Inductance Caused by Wiring Structure

著者名: 安東正登 (首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),高尾 和人(東芝),金井 丈雄三菱電機産業システム(東芝三菱電機産業システム),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Masato Ando(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Kazuto Takao(Toshiba),Takeo Kanai(TMEIC),Hiromichi Ohashi(AIST)

キーワード: 寄生インダクタンス|高圧電力変換回路|ブスバー

要約(日本語): 近年，Si やSiC を用いた大電力用パワーデバイスの研究が盛んに行われており，それらを用いた高圧電力変換回路では高速スイッチングが実現されているため，直流側ブスバー配線の寄生インダクタンスの解析が重要となる。寄生インダクタンスを解析する方法として有限要素法による電磁界シミュレータ解析が使用されるが，試行錯誤的に多数の構造を解析することは解析時間の面で難しい。そこで本稿では，パーシャルインダクタンス法をより簡易にした計算法を検討し，その方法を用いて簡易モデルの計算および実配線構造の解析を行い，配線構造とインダクタンス値の関係性を明確にした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,553 Kバイト