SiCパワーデバイスを用いた380V直流給電用整流装置の高密度化に関する基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-132

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Fundamental Study concerning Higher Density Rectifier with SiC Power Devices for 380V DC Distribution System

著者名: 加賀 雅人(NTTファシリティーズ),林 祐輔(NTTファシリティーズ),三野 正人(NTTファシリティーズ)

著者名(英語): Masato Kaga(NTT Facilities,INC.),Yusuke Hayashi(NTT Facilities,INC.),Masato Mino(NTT Facilities,INC.)

キーワード: SiC|PFC回路|HVDC

要約(日本語): 情報通信機器の消費電力増加や環境負荷低減の観点から、NTTグループは従来の48V直流給電に代わる380V直流給電（HVDC）を開発している。給電システムにおいて、電源には、大容量化・高密度化が求められており、本稿では、整流装置を構成するAC/DCコンバータの高密度化について検討している。SiC-JFETとSiC-SBDを用いた三相フルブリッジコンバータの変換効率や体積を試算し、現行の単相力率改善回路(PFC)と比較を行った。その結果、直流平滑コンデンサの小型化や導通損失低減により、体積を最大で35％低減可能と試算された。従って、三相フルブリッジ回路が高密度化に有効であると考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,392 Kバイト