ＲＣ－ＩＧＢＴの素子特性に対する裏面パターンの影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-136

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): RC-IGBT characteristics depending on backside pattern

著者名: 小林 俊章(東芝),小林 政和(東芝),合田 和弘(東芝),梅川 真一(東芝),山口 正一(東芝)

著者名(英語): Toshiaki Kobayashi(Toshiba Corporation),Masakazu Kobayashi(Toshiba Corporation),Kazuhiro Gouda(Toshiba Corporation),Shinichi Umekawa(Toshiba Corporation),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corporation)

キーワード: IGBT|逆導通

要約(日本語): 本研究では、逆導通IGBT(RC-IGBT)の設計最適化を目的に、IGBT特性、ダイオード特性に対する裏面パターンの影響について試作検証を行った。本検証ではPコレクタとNコレクタを一定の大きさと間隔で交互に設ける構造としており、Nコレクタ幅を固定しPコレクタ幅をパラメータとして変化させている。本検証より、裏面パターンのPコレクタ幅はスナップバック電圧、VF、Eoffに影響を与えるパラメータであり、最適設計値を持つことがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,123 Kバイト