SiCパワーMOSFETの等価回路を用いた内部寄生要素の数値的検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-137

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): A Numerical Study on Parasitic Elements in a SiC Power MOSFET by Its Equivalent Circuit

著者名: 柳 達也(京都大学),Nathabhat Phankong(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Tatsuya Yanagi(Kyoto University),Nathabhat Phankong(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: パワーMOSFET|スイッチング過渡特性|SiC|モデリング

要約(日本語): 現在、電力変換用スイッチイングデバイスの材料として、Siに変わるワイドバンドギャップ半導体であるSiCに期待が集まっている。しかしSiCパワーMOSFETを用いたスイッチング回路は、デバイス構造による内部寄生要素の影響を受けるため、スイッチング過渡特性において理想スイッチのように動作することはなく、このことがSiCパワーMOSFETを高周波スイッチング回路に用いる際に問題となる。本報告では、SiCパワーMOSFET(DMOSFET)の寄生要素を考慮した等価回路モデルを用いて、スイッチング時の過渡特性を再現し、その過渡状態における寄生要素の影響を検討する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,655 Kバイト