SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-139

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): High Temperature Reverse Bias Test of SiC-Static Induction Transistors

著者名: 矢野浩司 (山梨大学),田中保宣 (産業技術総合研究所),八尾 勉 (産業技術総合研究所),高塚章夫 (産業技術総合研究所)

キーワード: パワーデバイス|SiC|静電誘導トランジスタ

要約(日本語): SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験を行った。使用したサンプルは降伏電圧１３００V、オン抵抗0.18Ω、電流定格４Aである。試験条件は、雰囲気温度125℃の下、ゲート・ソース間電圧-10V、ドレイン・ソース間電圧1000Vを連続して印加し、ゲート電流およびドレイン電流をモニターした。結果は、試験中にドレイン電流およびゲート電流ともに異常な値は示さず、故障は無かった。また、試験後の降伏電圧やオン抵抗などの諸特性は、試験前と替わらなかった。本結果は、素子の接合構造プロセスが問題なく行われており、素子の高信頼性を示唆するものである。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 640 Kバイト