3.3kVSiC-SBDの特性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-140

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Characterization of 3.3kV SiC-SBD

著者名: 渡邊 寛(三菱電機),中木 義幸(三菱電機),藤井 善夫(三菱電機),大塚健一 (三菱電機),川上 剛史(新材料パワー半導体研究開発センター),中田 修平(新材料パワー半導体研究開発センター),今泉 昌之(三菱電機),炭谷 博昭(三菱電機),大森 達夫(新材料パワー半導体研究開発センター)

著者名(英語): Hiroshi Watanabe(Mitsubishi Electric Corporation),Yoshiyuki Nakaki(Mitsubishi Electric Corporation),Yoshio Fujii(Mitsubishi Electric Corporation),Kenichi Otsuka(Mitsubishi Electric Corporation),Tsuyoshi Kawakami(SiC Power Device Center),Shuhei Nakata(SiC Power Device Center),Masayuki Imaizumi(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroaki Sumitani(Mitsubishi Electric Corporation),Tatsuo Oomori(SiC Power Device Center)

キーワード: ダイオード|炭化珪素|高耐圧

要約(日本語): 耐圧3.3kVのSiC-SBDの試作を行い、その特性評価結果について報告する。電流密度150A/cm2における順方向電圧は2V、微分抵抗率は6.8mΩcm2、逆方向リーク電流密度は0.24mA/cm2(逆方向電圧3.3kV, 25℃)であった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 568 Kバイト