SiC-JFET安定動作のための駆動回路の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-143

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Study of gate drive circuit parameters to stable operate SiC-JFET

著者名: 図子祐輔 (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),佐藤 伸二(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),松井 康平(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),村上 善則(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),谷本 智(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構)

著者名(英語): Zushi Yusuke(R&D Partnership for FUture Power Electronics Technology),Sato Shinji(R&D Partnership for FUture Power Electronics Technology),Matsui Kohei(R&D Partnership for FUture Power Electronics Technology),Murakami Yoshinori(R&D Partnership for FUture Power Electronics Technology),Tanimoto Satoshi(R&D Partnership for FUture Power Electronics Technology)

キーワード: SiC|ワイドバンドギャップ|ゲート駆動

要約(日本語): SiC-JFETを用いて、Half Bridge回路構成にした際の誤点弧現象の解析を行った。SiCデバイスでは同じ耐圧を満たすために必要なドリフト層の厚みがSiに比べて薄く、誘電率が高いため、ドレイン・ゲート間容量がSiデバイスよりも大きくなる傾向にある。そのため、片方がターンオンした際にもう片方のゲートソース間に閾値電圧以上の電圧が誘起され、誤点弧することを実験で確認した。今回、この現象を再現する等価回路モデルを作成し、誤点弧対策の効果を定量的に検証した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 972 Kバイト