高温高耐圧パワーデバイス用小型評価試験装置開発に関する基礎的検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-146

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Fundamental Study for Development of Compact Evaluation Apparatus for Power Electronics Devices under High Temperature and High Voltage

著者名: 河野大樹 (九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),大村一郎 (九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),Thierry Lebey(Universit? Paul Sabatier)

著者名(英語): Hiroki Kawano(Kyusyu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyusyu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyusyu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyusyu Institute of Technology),Thierry Lebey(Universit? Paul Sabatier)

キーワード: 次世代パワーデバイス|高温高耐圧パッケージ技術|小型評価試験装置

要約(日本語): 次世代パワーデバイス(SiC，GaN等)の開発において，従来のパッケージ技術では高電圧(1.2 kV以上)，高温(200℃以上)環境下で動作可能とすることは困難である。著者らはガスとセラミック基板の複合絶縁による高温高耐圧用の新しいパッケージ技術を提案し，さらにSiCの理論値である600℃まで測定可能な高温高耐圧パワーデバイス用小型評価試験装置の開発を目指している。本報では，室温から400℃まで測定可能なシステムの構築を行い，SiC-SBD(Schottky Barrier Diode)のI-V特性における温度依存性について評価したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 891 Kバイト