GaN 横型トランジスタのモデル化とAC-ACダイレクトコンバータへの応用

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-148

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Modeling of a Horizontal GaN Transistor and Its Applocation to a Single-Phase AC-AC Direct Converter

著者名: 豊田 玄紀(山口大学),岡本 昌幸(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)

著者名(英語): Genki Toyoda(Yamaguchi University),Masayuki Okamoto(Yamaguchi University),Eiji Hiraki(Yamaguchi University),toshihiko Tanaka(Yamaguchi University),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC.)

キーワード: GaN|PSpice|コンバータ|I-V特性|C-V特性|横型トランジスタ

要約(日本語): 近年, 低損失でかつ高速動作が可能なGaN パワーデバイスが注目されている。本論文では, 現在開発中のGaN横型トランジスタ(HEMT) のダイナミック特性を模擬できるSPICE モデルを作成する。さらに, 作成したGaN横型トランジスタのSPICE モデルを用いてAC-AC ダイレクトコンバータを構成し, シミュレーションを行った結果, Si 系デバイスを用いた場合と比較し, デバイスの損失を30%以上低減できることを明らかにする。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,543 Kバイト