ゼロ電流スイッチング(ZCS)におけるIGBTの総合損失低減

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-149

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Reduction of power dissipation in IGBT under the zero current switching (ZCS) operation

著者名: 下條亮平 (東芝),小林 政和(東芝),前田 陽介(東芝),脇山 成一郎(東芝),梅川 真一(東芝),山口 正一(東芝)

著者名(英語): Ryohei Gejo(TOSHIBA Semicoductor Company),Masakazu Kobayashi(TOSHIBA Semicoductor Company),Yosuke Maeda(TOSHIBA Semicoductor Company),Seiichiro Wakiyama(TOSHIBA Semicoductor Company),Shinichi Umekawa(TOSHIBA Semicoductor Company),Masakazu Yamaguchi(TOSHIBA Semicoductor Company)

キーワード: IGBT|ゼロ電流スイッチング|総合損失低減

要約(日本語): ゼロ電流スイッチングでのターンオン・ターンオフを合わせた総合損失低減を目指した素子設計について、シミュレーションと試作により検証した。ターンオン損失低減のためにはキャリアの高速注入が効果的であり、表面、裏面それぞれのキャリア注入を促進することで低減可能であることを確認した。また、ターンオフ損失についてはライフタイムを短くすることで低減可能であり、ライフタイムの最適設計によってターンオン損失へ影響を与えずターンオフ損失を低減することでゼロ電流スイッチングでのIGBTの総合損失の低減に成功した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,177 Kバイト