半導体電力素子の非破壊試験装置の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-154

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Discussion of Non-Destructive Experimental Set-up for Power MOSFETs

著者名: 中川 徹也(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),西澤 伸一(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Tetsuya Nakagawa(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Shin-ichi Nisizawa(Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiromichi Ohashi(Advanced Industrial Science and Technology (AIST))

キーワード: 半導体電力素子|MOSFET|低インダクタンス|ラミネートBUSバー

要約(日本語): パワーエレクトロニクス回路において，IGBTやパワーMOSFETの電力用半導体素子の利用が進んできている。電力用半導体のデータシートには安全動作領域やアバランシェ耐量が示されているが，高温での使用時や極短パルスにおける破壊耐量を知るための，実際の回路構成で試験できる非破壊試験装置が必要である。限界性能付近におけるスイッチング特性を実験やシミュレーションによって解析した文献が報告されているが，このような装置においてはスイッチング時のサージや振動の要因となる配線インダクタンスを低減するための構造にする必要がある。そこで，電力用半導体素子の非破壊検査用試験装置を対象として低インダクタンス構造を検討したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,198 Kバイト