スコット結線変圧器の単相励磁時における投入位相制御

カテゴリ: 全国大会

論文No: 5-084

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Controlled Switching for energizing Scott Transformer by Single Phase Side Circuit Breaker

著者名: 川崎 圭(東芝),腰塚 正(東芝),宇田川 恵佑(東芝),丸山 志郎(東芝),齋藤 実(東芝),長山 徳幸(東芝)

著者名(英語): Kei Kawasaki(Toshiba Corporation),Tadashi Koshizuka(Toshiba Corporation),Keisuke Udagawa(Toshiba Corporation),Shiro Maruyama(Toshiba Corporation),Minoru Saito(Toshiba Corporation),Noriyuki Nagayama(Toshiba Corporation)

キーワード: スコット結線変圧器|励磁突入電流|位相制御

要約(日本語): 電気鉄道のき電系統などで用いられるスコット結線変圧器を無負荷励磁する時に、変圧器鉄心の残留磁束や開閉器の投入位相によっては大きな励磁突入電流が流れる。励磁突入電流を抑制する方法の一つに、開閉器の投入位相制御がある。スコット結線変圧器においても、変圧器3相側のき電用交流遮断器から投入位相制御を行う方法が示されている。スコット結線変圧器を運用する上で、単相側のき電用交流遮断器から投入することも想定される。そこで本論文では、単相側のき電用交流遮断器を用いて、スコット結線変圧器における励磁突入電流を抑制するための投入位相制御方法について検討した。投入位相制御アルゴリズムを考案し、スコット結線変圧器における励磁突入電流を大きく抑制できることを示した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,683 Kバイト