V1mA=8kV超級ZnOアレスタ素子用C-V測定装置の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-245

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Development of C-V Measurement System for ZnO Arrester Element

著者名: 津田 孝一(日本AEパワーシステムズ),三宅 純一郎(日本AEパワーシステムズ),岩井田 武(日本AEパワーシステムズ)

著者名(英語): Koichi Tsuda(Japan AE Power Systems),Junichiro Miyake(Japan AE Power Systems),Takeshi Iwaida(Japan AE Power Systems)

キーワード: ＺｎＯアレスタ|C-V測定|バリア高さ|ドナー密度

要約(日本語): 　半導性セラミックスデバイスのひとつであるZnOアレスタのV-I特性は粒界に形成されるダブルショットキー障壁に存在するドナー密度(Nd)やバリア高さ(φ)に大きく影響される。しかし、ZnOアレスタではキャパシタンスの耐圧の問題で、Ndやφを求める方法として知られているC-V法の適用はほとんどなされていない。今回、V1mA=8kV超級ZnOアレスタが評価可能なC-V測定装置を開発した。　この装置を用いることで、従来なされていなかった実アレスタ素子のNd、φの評価が可能となり、プロセス開発等に貢献できる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 540 Kバイト