真空中のCuCr接点の耐電圧性能に及ぼすCr含有量の影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-268

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Influence on Breakdown Performance of CuCr Contact in Vacuum

著者名: 塩入 哲(東芝),佐々木 遥(東芝),浅利 直紀(東芝),佐藤純一 (東芝),捧 浩資(東芝),竹井 義博(東芝),鈴木 克巳(東芝),本間三孝 (東芝)

著者名(英語): Tetsu Shioiri(Toshiba Corporation),Yo Sasaki(Toshiba Corporation),Naoki Asari(Toshiba Corporation),Junichi Sato(Toshiba Corporation),Kosuke Sasage(Toshiba Corporation),Yoshihiro Takei(Toshiba Corporation),Katsumi Suzuki(Toshiba Corporation),Mitsutaka Homma(Toshiba Corporation)

キーワード: 真空|絶縁破壊|CuCr接点

要約(日本語): 真空中のCuCr接点のCr含有量と無負荷開閉後の耐電圧の関係を調査し、Cr含有量が多い程耐電圧性能が高くなることを明らかにした。この結果をもとにCr25wt%とCr35wt%のCuCr接点を84kVクラスの実機真空バルブに適用し絶縁回復特性を比較した。Cr35wt%の方が絶縁回復特性が高くなり、進み小電流遮断性能が向上するものと考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 683 Kバイト