真空中におけるＣｕＣｒ接点のＣｒ含有量が突入電流後の絶縁性能に及ぼす影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-269

グループ名: 【全国大会】平成23年電気学会全国大会論文集

発行日: 2011/03/05

タイトル(英語): Influence on Breakdown Performance after Inrush Current on CuCr Contact in Vacuum

著者名: 佐藤純一 (東芝),塩入 哲(東芝),浅利 直紀(東芝),久保田 信孝(東芝),捧 浩資(東芝),竹井 義博(東芝),鈴木 克巳(東芝),栗山 透(東芝),本間三孝 (東芝)

著者名(英語): Junichi Sato(Toshiba corporation),Tetsu Shioiri(Toshiba corporation),Naoki Asari(Toshiba corporation),Nobutaka Kubota(Toshiba corporation),Kosuke Sasage(Toshiba corporation),Yoshihiro Takei(Toshiba corporation),Katsumi Suzuki(Toshiba corporation),Toru Kuriyama(Toshiba corporation),Mitsutaka Homma(Toshiba corporation)

キーワード: 真空バルブ|ＣｕＣｒ接点|絶縁破壊|突入電流|真空遮断器

要約(日本語): 本論文は、真空バルブに適用されているＣｕＣｒ接点のＣｒ含有量を変化し、突入電流後の耐電圧性能を調査した結果について述べる。Ｃｒ含有量が多いほど耐電圧性能が向上することを報告した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 728 Kバイト