変調誘導熱プラズマを用いた窒化処理における印加バイアス電圧依存性の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-210

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): Application of Modulated Thermal Plasmas to Surface Nitridation of Specimen wirh Applied Voltage

著者名: 春多洋佑 (金沢大学),藤本 健太(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学)

著者名(英語): Yosuke Haruta(Kanazawa University),Kenta Fujimoto(Kanazawa University),Yasunori Tanaka(Kanazawa University),Yoshihiko Uesugi(Kanazawa University),Tatsuo Ishijima(Kanazawa University)

キーワード: パルス変調誘導熱プラズマ|窒化処理|XRD分析|バイアス印加|イオン電流

要約(日本語): これまで筆者らは、パルス変調誘導熱プラズマ(PMITP)を用いてTi表面の窒化処理をおこなってきた。一般的な窒化処理は30分から数十時間を要するのに対し、PMITPを用いると、3分間のプラズマ照射でTi試料表面にTiN層を生成することを確認している。また、無変調の熱プラズマを用いる場合と比べ、温度をなるべく低下させた状態で表面処理ができる。同時に励起窒素原子数を増加でき、そのことを放射スペクトル観測から見出している。今回、我々は窒化処理の促進を目的として、試料にバイアス電圧を印加した。本報告では印加バイアス電圧を3条件に変更し、窒化促進効果の有無について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 996 Kバイト